플라즈마 원자층 단위 어닐링을 통한 실리콘 커패시터 유전막 고성능화 기술 개발
2026.04.13
엘스페스
Project Information
과제명
플라즈마 원자층 단위 어닐링을 통한 실리콘 커패시터 유전막 고성능화 기술 개발
프로젝트 기간
2024.09.01 ~ 2025.02.28
참여 기업
엘스페스 (ELSPES)
참여 교수 및 학생
참여 교수: 안지환 교수
참여 학생: 이상원 · 오정민
■ 목표
- 플라즈마 기반 원자층 어닐링 공정을 활용한 고품질 유전막 증착 기술 개발
- 고종횡비 구조에서 균일한 증착 및 결정성 제어가 가능한 박막 공정 확보
■ 성과
- PEALD 기반 원자층 어닐링 공정을 통한 고결정성 박막 공정 기술 개발
- 정전용량 증가 및 누설전류 감소를 통한 전기적 특성 개선
- 고종횡비 구조에서도 적용 가능한 박막 공정 가능성 확인
- 애로기술 해결 성과 1건 도출
■ 연구내용
- 공정 조건 최적화
플라즈마 파워, 압력, 가스 조성(Ar/O₂) 등을 활용하여 박막 조성과 결정성 제어 공정 개발 - 원자층 어닐링(ALA) 공정 개발
PEALD 공정 내 어닐링 공정을 적용하여 저온에서 박막 결정화 유도 - 소자 적용 및 특성 평가
MIM 커패시터 소자 제작 후 정전용량 및 누설전류 등 전기적 특성 분석 - 고종횡비 구조 적용 검증
3D 구조 기판에서 박막 균일성 및 결정화 가능성 확인
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