포항공대 반도체 대학원

활동 및 결과

플라즈마 원자층 단위 어닐링을 통한 실리콘 커패시터 유전막 고성능화 기술 개발

2026.04.13 엘스페스
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https://gradsemi.postech.ac.kr/activities-result/플라즈마-원자층-단위-어닐링을-통한-실리콘-커패시/
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Project Information

과제명
플라즈마 원자층 단위 어닐링을 통한 실리콘 커패시터 유전막 고성능화 기술 개발

프로젝트 기간
2024.09.01 ~ 2025.02.28

참여 기업
엘스페스 (ELSPES)

참여 교수 및 학생
참여 교수: 안지환 교수
참여 학생: 이상원 · 오정민

■ 목표

  • 플라즈마 기반 원자층 어닐링 공정을 활용한 고품질 유전막 증착 기술 개발
  • 고종횡비 구조에서 균일한 증착 및 결정성 제어가 가능한 박막 공정 확보

■ 성과

  • PEALD 기반 원자층 어닐링 공정을 통한 고결정성 박막 공정 기술 개발
  • 정전용량 증가 및 누설전류 감소를 통한 전기적 특성 개선
  • 고종횡비 구조에서도 적용 가능한 박막 공정 가능성 확인
  • 애로기술 해결 성과 1건 도출

■ 연구내용

  1. 공정 조건 최적화
    플라즈마 파워, 압력, 가스 조성(Ar/O₂) 등을 활용하여 박막 조성과 결정성 제어 공정 개발
  2. 원자층 어닐링(ALA) 공정 개발
    PEALD 공정 내 어닐링 공정을 적용하여 저온에서 박막 결정화 유도
  3. 소자 적용 및 특성 평가
    MIM 커패시터 소자 제작 후 정전용량 및 누설전류 등 전기적 특성 분석
  4. 고종횡비 구조 적용 검증
    3D 구조 기판에서 박막 균일성 및 결정화 가능성 확인